уже как анекдот

Nickita A Startcev написал(а) к Dmitry E. Oboukhov в Oct 17 06:22:52 по местному времени:

Привет, Dmitry !


02 Oct 17 , 18:37 Dmitry E. Oboukhov писал к Michael Belousoff:

>>>>>>> Предложи тему, задай вопрос, на который в этой эхе корректно
>>>>>>> отвечать?
DEO>>>>>> меня вот интересуют средства разработки ПЛИС сейчас, но не в
DEO>>>>>> этой же эхе вопрос задавать в самом-то деле?
AB>>>>> Действительно. А что интересует-то? Вроде за последние 10 лет
AB>>>>> ничего
AB>>>>> не поменялось.
IS>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли.

AB>>> Э... куда ушли?

>> Не ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже есть.
>> Не исключено, что скоро вытеснят.

DEO> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)

кстати, маломощных ИГБТ мне не попадалось в продаже. всё что видел - чуть ли не от тыщщи ампер. а я хотел этак до 1А или даже 100мА но на несколько киловольт.

. С уважением, Никита.
icq:240059686, lj-user:nicka_startcev
... Обкурившийся сфинкс, забывший правильный ответ на собственную загадку
--- GoldED+/LNX 1.1.5-b20161221

Dmitry E. Oboukhov написал(а) к Nickita A Startcev в Oct 17 09:47:44 по местному времени:


AB>>>> Э... куда ушли?

>>> Не ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже есть.
>>> Не исключено, что скоро вытеснят.

DEO>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)

> кстати, маломощных ИГБТ мне не попадалось в продаже. всё что видел -
> чуть ли не от тыщщи ампер. а я хотел этак до 1А или даже 100мА

эм и на 1А и на 100мA же есть IGBT и в корпусах TO220 и в корпусах
TO247


> но на несколько киловольт.

мы на 3.3 кВ собирали пару из 2x1.7 кВ соединенных последовательно

... В Нью-Йорке мне делать нечего, хотя в качестве солдата может и побываю :)
--- NeoMutt/20170113 (1.7.2)

Nickita A Startcev написал(а) к Dmitry E. Oboukhov в Oct 17 20:32:06 по местному времени:

Привет, Dmitry !


03 Oct 17 , 09:47 Dmitry E. Oboukhov писал к Nickita A Startcev:

AB>>>>> Э... куда ушли?

>>>> Не ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже
>>>> есть. Не исключено, что скоро вытеснят.

DEO>>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)

>> кстати, маломощных ИГБТ мне не попадалось в продаже. всё что видел -
>> чуть ли не от тыщщи ампер. а я хотел этак до 1А или даже 100мА

DEO> эм и на 1А и на 100мA же есть IGBT и в корпусах TO220 и в корпусах
DEO> TO247


>> но на несколько киловольт.

DEO> мы на 3.3 кВ собирали пару из 2x1.7 кВ соединенных последовательно

как-чем верхний из них раскачивали?

мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка 1-3кВ.

. С уважением, Никита.
icq:240059686, lj-user:nicka_startcev
... Не сотвори себе menuconfig
--- GoldED+/LNX 1.1.5-b20161221

Michael Belousoff написал(а) к Dmitry E. Oboukhov в Oct 17 23:46:45 по местному времени:

Привет, Dmitry.

Вот что Dmitry E. Oboukhov wrote to Michael Belousoff:

DEO>>>>>> меня вот интересуют средства разработки ПЛИС сейчас, но не в
DEO>>>>>> этой же эхе вопрос задавать в самом-то деле?
AB>>>>> Действительно. А что интересует-то? Вроде за последние 10 лет
AB>>>>> ничего не поменялось.
IS>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли.

AB>>> Э... куда ушли?

>> Не ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже есть.
>> Не исключено, что скоро вытеснят.

DO> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)

Это сейчас, а дальше? Напряжение уже достигнуто 1200 В, если не больше; ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами, вроде как и нет.

--Michael G. Belousoff--
Yekaterinburg city
mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====
--- GoldED/W32 3.0.1-asa9.1

Michael Belousoff написал(а) к Nickita A Startcev в Oct 17 00:13:51 по местному времени:

Привет, Nickita.

Вот что Nickita A Startcev wrote to Dmitry E. Oboukhov:

NS> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте до
NS> килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка 1-3кВ.

Биполярные.

--Michael G. Belousoff--
Yekaterinburg city
mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====
--- GoldED/W32 3.0.1-asa9.1

Nickita A Startcev написал(а) к Michael Belousoff в Oct 17 21:02:56 по местному времени:

Привет, Michael !


04 Oct 17 , 00:13 Michael Belousoff писал к Nickita A Startcev:


NS>> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте
NS>> до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка
NS>> 1-3кВ.

MB> Биполярные.

схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь?
можно сразу в лтспайс - он и бесплатный и моделирует прилично (контроль очепяток) и схема в типатекст экспортируется.

. С уважением, Никита.
icq:240059686, lj-user:nicka_startcev
... вендоры игрушек и прочие NVidia съели его мозг
--- GoldED+/LNX 1.1.5-b20161221

Alexander Gatalsky написал(а) к Michael Belousoff в Oct 17 03:15:12 по местному времени:

Пpиветик, #Michael# !
В Bтopниk Okтябpя 03 2017 Michael Belousoff => Dmitry E. Oboukhov : уже как анекдот

IS>>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли.
AB>>>> Э... куда ушли?
>>> Не ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже есть.
>>> Не исключено, что скоро вытеснят.
DO>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)
MB> Это сейчас, а дальше? Напряжение уже достигнуто 1200 В, если не
MB> больше;
IXTT/Н1N450НV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-)
У аналогичного IGBT бyдет поpядка 3Ohm.

MB> ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических
MB> ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами, вроде
MB> как и нет.
Самый чахлый из каталога SMD D2PAK IGBT IXGT2N250 5A 2500V пpи своих 2A выделяет всего 6.2W тепла, самый близкий к немy MOSFET IXTT1N250НV 1A 2500V пpи 0.75A выделяет аж 22.5W тепла ! О ценах yмалчиваю, чтобы пpисyтствyющие не заболели инфаpктом, но паpаллелить четыpе MOSFET на заменy одного IGBT IMНO излишне. Плюс pазличные тепловые зависимости...

До новых встpеч. Alexander.

... Я пеpезвоню чеpез паpу часиков...
--- FTN Explorer v.2.50+

Michael Belousoff написал(а) к Nickita A Startcev в Oct 17 21:37:27 по местному времени:

Привет, Nickita.

Вот что Nickita A Startcev wrote to Michael Belousoff:

NS>>> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте
NS>>> до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка
NS>>> 1-3кВ.

MB>> Биполярные.

NS> схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь?

С нижним и так понятно. Верхний... А им как управлять надо: включил-выключил со скважностью 2? Тогда - через импульсный трансик. На низкой стороне - по вкусу. Или надо ШИМ?

NS> можно сразу в лтспайс - он и бесплатный и моделирует прилично
NS> (контроль очепяток) и схема в типатекст экспортируется.

Я тут на курсах по ЭМС обучался, дык там представили этот самый лтспайс, мне в принципе даже понравился. Но пока я его не очень освоил, сделал только первые шаги, так что сам рисуй, коли есть охота.

--Michael G. Belousoff--
Yekaterinburg city
mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====
--- GoldED/W32 3.0.1-asa9.1

Michael Belousoff написал(а) к Alexander Gatalsky в Oct 17 21:48:27 по местному времени:

Привет, Alexander.

Вот что Alexander Gatalsky wrote to Michael Belousoff:

IS>>>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли.
AB>>>>> Э... куда ушли?
>>>> Не ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже
>>>> есть.
>>>> Не исключено, что скоро вытеснят.
DO>>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)
MB>> Это сейчас, а дальше? Напряжение уже достигнуто 1200 В, если не
MB>> больше;

AG> IXTT/Н1N450НV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-)
AG> У аналогичного IGBT бyдет поpядка 3Ohm.

А я и не говорил, что уже есть мосфеты на 4.5 кВ. Сейчас, считай, нет, потом, возможно, будут. Да и что такое 1 А...

MB>> ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических
MB>> ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами,
MB>> вроде как и нет.

AG> Самый чахлый из каталога SMD D2PAK IGBT IXGT2N250 5A 2500V пpи своих
AG> 2A выделяет всего 6.2W тепла, самый близкий к немy MOSFET IXTT1N250НV
AG> 1A 2500V пpи 0.75A выделяет аж 22.5W тепла ! О ценах yмалчиваю, чтобы
AG> пpисyтствyющие не заболели инфаpктом, но паpаллелить четыpе MOSFET на
AG> заменy одного IGBT IMНO излишне. Плюс pазличные тепловые
AG> зависимости...

Всему своё время.

--Michael G. Belousoff--
Yekaterinburg city
mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====
--- GoldED/W32 3.0.1-asa9.1

Alexander Hohryakov написал(а) к Michael Belousoff в Oct 17 22:07:54 по местному времени:

Здpавствуй, Michael!

Четверг 05 Октября 2017 21:37, ты писал(а) Nickita A Startcev, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/830.911@fidonet.org+59d6a775:


MB> Я тут на курсах по ЭМС обучался, дык там представили этот самый
MB> лтспайс, мне в принципе даже понравился. Но пока я его не очень
MB> освоил, сделал только первые шаги, так что сам рисуй, коли есть охота.

Простенько, но со вкусом (с) Симулятор у него хороший, врёт меньше, чем AD

С уважением - Alexander
--- -